l 系統(tǒng)設(shè)計及功能模塊
設(shè)計中主要采用ARM平臺的32位處理器STR710，NAND512W3，MAX4468語音數(shù)據(jù)采集芯片以及LCD液晶顯示器，在完成硬件電路的基礎(chǔ)上編寫程序?qū)崿F(xiàn)LED顯示器及NAND_FLASH驅(qū)動。系統(tǒng)采用STR710單片機(jī)設(shè)計實現(xiàn)PDA系統(tǒng)具有很高的性價比和可靠性特別是在A／D采集上具有12位的精度非常適合工業(yè)和手持設(shè)備使用。
1．1 STR710及NAND512W3主要芯片功能介紹
ST ARM微控制器集成了常用的各種外設(shè)，彌補(bǔ)了其他許多ARM微控制器的不足，可以大大簡化系統(tǒng)硬件設(shè)計。在設(shè)計中采用NAND_FLASH是由于在PDA系統(tǒng)中一般需要存放大量代碼及數(shù)據(jù)而NAND512W3系列芯片正好具有很高的存儲密度、可擦寫性能好、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)很適合作PDA的存儲芯片，而且具有很高的性價比。
1．2 STR710與各芯片的功能模塊及接口電路設(shè)計
在系統(tǒng)中PDA主要有以下功能：通過CPU的控制實現(xiàn)LCD顯示屏的顯示控制，NAND_FLASH的存儲操作、并實現(xiàn)數(shù)據(jù)的FATl6格式存儲，數(shù)據(jù)ADC采集，USB接口的識別及控制鍵操作等功能模塊主要功能模塊如圖l所示。
1．3 STR710與主要外圍芯片接口電路
1．3．1 NAND_FLASH接口電路
設(shè)計采用STR芯片的BANK3作為NAND_FLASH的外部存儲I／O口，主要引腳ALE，CLE引腳與處理器的P2．5，P2．6連接作為地址和命令鎖寸引腳的I／O口；讀、寫使能RE，WE引腳與nRD和nWE連接；I／O口與處理器的D0～D7連接用于數(shù)據(jù)傳輸。圖2為NAND_FLAsH與STR710的典型接口連接圖。
在設(shè)計NAND_FLASH與STR710的接口電路圖時不能將電路設(shè)計為ALE，CLE，WP，R／B全部連接到STR710的地址線上。這樣在寫入命令或地址時會引起CLE和ALE(對應(yīng)MCU的地址線)在寫信號WE的上升沿鎖存時保持時間至少應(yīng)達(dá)到10 ns，而MCU的芯片說明中寫信號WE發(fā)出之后，地址線在WE的上升沿后的保持時間只有3 ns，這樣兩者之間會造成時序的不匹配，無法正確操作NAND_FLASH。在設(shè)計時需采用將上述引腳與CPU的GPIO引腳連
1．3．2 LCD接口電路
該設(shè)計采用160×160像素LCD液晶顯示器，R18是一個滑動變阻器可用于液晶顯示器進(jìn)行灰度的調(diào)節(jié)，LCD片選信號與處理器的P2．O引腳連接，圖3為LCD顯示的典型接口電路。
2 PDA系統(tǒng)功能的實現(xiàn)
完成硬件電路設(shè)計并調(diào)試通過后主要針對以下3方面的軟件編程功能實現(xiàn)：
對硬件電路(CPU及主要外圍電路)的初始化，NAND_FLASH驅(qū)動程序和LCD驅(qū)動程序的編寫及實現(xiàn)。
2．1 系統(tǒng)的初始化
初始化硬件電路主要完成STR7lO各寄存器的配置及內(nèi)存映射和中斷向量配置、處理器與外芯片的初始化以及功能庫函數(shù)加載等。其主要步驟是首先調(diào)用71x_init．s源文件完成CPU各寄存器的初始化配置后中斷異常的處理實現(xiàn)及中斷優(yōu)先級設(shè)置、系統(tǒng)堆棧和變量的初始化*完成初始化后使用BL語句跳轉(zhuǎn)至MAIN功能函數(shù)：IMPORT main；B main；main為C語言主函數(shù)入口。初始化流程圖如圖4所示。
2．2 NAND_FLASH驅(qū)動程序
NAND_FLASH的驅(qū)動主要包括芯片的復(fù)位，ID的正確讀取，塊的擦除，和頁的寫入和讀取幾個操作。此外NAND_FLASH允許要2％的壞塊，在編寫驅(qū)動時要做好NANDFLASH的壞塊的統(tǒng)計與管理，壞塊的識別主要是讀取塊中*頁的第6字節(jié)的1個WORD是否為FF來判斷塊的好壞。為了便于統(tǒng)計壞塊和存儲管理須在調(diào)用NAND_FLASH內(nèi)存管理函數(shù)時建立壞塊統(tǒng)計表，系統(tǒng)不斷使用會增加壞塊的數(shù)量，在每次系統(tǒng)啟動時都可以通過調(diào)用內(nèi)存管理函數(shù)來更新壞塊表實現(xiàn)對內(nèi)存的*管理以提高系統(tǒng)的性能。壞塊管理流程如圖5所示。
NAND_FLASH驅(qū)動主要步驟：
(1)向指令寄存器寫入0xFF使芯片復(fù)位；
(2)調(diào)用Unsigned int check_Flash_Id(void)函數(shù)讀取芯片ID：
For(i=0；i<10；i++)；id=Nand_IO<<8；id+=Nand_IO； ／／讀出2個字節(jié)即芯片ID
(3)調(diào)用NAND_manage()函數(shù)做壞塊管理；
(4)調(diào)用Unsigned int Erase_Block(unsigned intblock)實現(xiàn)塊的擦除；
(5)調(diào)用int Write_page()和int Read_page()寫入和讀出頁數(shù)據(jù)。
2．3 LCD驅(qū)動程序設(shè)計
在系統(tǒng)中LCD驅(qū)動程序主要是對屏幕顯示的初始化包括字符顯示高度和寬度、行字符顯示數(shù)、顯
